FDP7N50 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FDP7N50
Numéro de produit DigiKey	FDP7N50-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDP7N50
Description	MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 7 A (Tc) 89W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDP7N50 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	UniFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	900mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	940 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	89W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	FDP7