Name: FDN327N
Brand: onsemi
SKU: FDN327NTR-ND
Price: 0.624 EUR
Availability: InStock

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FDN327N
Numéro de produit DigiKey	FDN327NTR-ND - Bande et bobine FDN327NCT-ND - Bande coupée (CT) FDN327NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN327N
Description	MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDN327N Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	70mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	423 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	FDN327

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