FDMB3800N onsemi | Matrices de FET, MOSFET

FDMB3800N est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Renesas Electronics Corporation

En stock: 7 826

Prix unitaire : 1,61000 €

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FDMB3800N
Numéro de produit DigiKey	FDMB3800NTR-ND - Bande et bobine FDMB3800NCT-ND - Bande coupée (CT) FDMB3800NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMB3800N
Description	MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4,8A 750mW Montage en surface 8-MLP, MicroFET (3x1,9)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 4,8A, 10V
Fabricant onsemi	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série PowerTrench®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5,6nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 465pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 750mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-MLP, MicroFET (3x1,9)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,8A	Numéro de produit de base FDMB3800