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FDI3632 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDI3632FS-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDI3632 |
Description | MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 12 A (Ta), 80 A (Tc) 310W (Tc) Trou traversant TO-262 (I2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6000 pF @ 25 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 310W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-262 (I2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 80A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB288L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOB288L-ND | 0,83243 € | Similaire |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | 1,10741 € | Similaire |
| IPI076N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | 66 | IPI076N12N3GAKSA1-ND | 3,29000 € | Similaire |
| IPI086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 28 | IPI086N10N3GXKSA1-ND | 2,06000 € | Similaire |
| SUM70090E-GE3 | Vishay Siliconix | 4 533 | SUM70090E-GE3CT-ND | 2,17000 € | Similaire |





