Name: FDD8880
Brand: onsemi
SKU: FDD8880TR-ND
Price: 1.356 EUR
Availability: InStock

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FDD8880
Numéro de produit DigiKey	FDD8880TR-ND - Bande et bobine FDD8880CT-ND - Bande coupée (CT) FDD8880DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD8880
Description	MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 13 A (Ta), 58 A (Tc) 55W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD8880 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Ta), 58 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9mohms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1260 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	55W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD888