Name: FDD850N10L
Brand: onsemi
SKU: FDD850N10LTR-ND
Price: 1.416 EUR
Availability: InStock

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FDD850N10L
Numéro de produit DigiKey	FDD850N10LTR-ND - Bande et bobine FDD850N10LCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD850N10L
Description	MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 15,7 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	75mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1465 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD850

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En stock: 7 994

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)