Name: FDD7N20TM
Brand: onsemi
SKU: FDD7N20TMTR-ND
Price: 1.404 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDD7N20TM
Numéro de produit DigiKey	FDD7N20TMTR-ND - Bande et bobine FDD7N20TMCT-ND - Bande coupée (CT) FDD7N20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD7N20TM
Description	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 5 A (Tc) 43W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.7 nC @ 10 V
Série UniFET™	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 43W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDD7N20
Rds On (max.) à Id, Vgs 690mohms à 2,5A, 10V