Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: InStock

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FDD1600N10ALZ
Numéro de produit DigiKey	FDD1600N10ALZTR-ND - Bande et bobine FDD1600N10ALZCT-ND - Bande coupée (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD1600N10ALZ
Description	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 6,8 A (Tc) 14,9W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD1600N10ALZ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	160mohms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.61 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	225 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	14,9W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD1600