Name: FDB86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDB86102LZTR-ND
Price: 1.428 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDB86102LZ
Numéro de produit DigiKey	FDB86102LZTR-ND - Bande et bobine FDB86102LZCT-ND - Bande coupée (CT) FDB86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB86102LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8,3 A (Ta), 30 A (Tc) 3,1W (Ta) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,3 A (Ta), 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 8,3 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1275 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FDB86102