FCP650N80Z onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FCP650N80Z est obsolète et n'est plus fabriqué.

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FCP650N80Z
Numéro de produit DigiKey	FCP650N80Z-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCP650N80Z
Description	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 10 A (Tc) 162W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FCP650N80Z Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® II
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	650mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 800µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1565 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	162W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	FCP650