Name: BS170-D26Z
Brand: onsemi
SKU: BS170-D26ZTR-ND
Price: 0.444 EUR
Availability: InStock

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BS170-D26Z
Numéro de produit DigiKey	BS170-D26ZTR-ND - Bande et bobine BS170-D26ZCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	BS170-D26Z
Description	MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BS170-D26Z Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	500mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5ohms à 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	40 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	830mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
Numéro de produit de base	BS170