500mA (Ta) FET, MOSFET simples

Résultats : 107
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMDDMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP Semiconductorsonsemi
Série
-eGaN®FemtoFET™SIPMOS®SOT-23TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchMOS™U-MOSIIIXP2318
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteDigi-Reel®En vracTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal NCanal P
Technologies
GaNFET (nitrure de gallium)MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
12 V20 V30 V50 V60 V65 V80 V100 V200 V240 V250 V400 V600 V
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,2V, 4,5V1,5V, 4,5V1,5V, 5V1,8V, 10V1,8V, 4,5V1,8V, 4V2,5V, 10V2,5V, 4,5V2,5V, 4V2,5V, 8V2,8V, 8V4V, 10V4,5V, 10V5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,85mohms à 250mA, 10V205mohms à 250mA, 4V300mohms à 500mA, 4,5V366mohms à 200mA, 4,5V390mohms à 500mA, 4,5V400mohms à 500mA, 4,5V500mohms à 500mA, 10V550mohms à 500mA, 10V550mohms à 500mA, 4,5V580mohms à 500mA, 4,5V630mohms à 200mA, 5V700mohms à 430mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
900mV à 250µA950mV à 250µA1V à 1mA1V à 250µA1,1V à 1mA1,1V à 250µA1,2V à 250µA1,3V à 250µA1,35V à 2,5µA1,4V à 250µA1,5V à 1mA1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.31 nC @ 10 V0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.78 nC @ 10 V0.8 nC @ 10 V0.87 nC @ 4.5 V0.95 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+6V, -4V±6V±8V±10V10V±12V±15V±16V±20V20V±40V-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8.4 pF @ 50 V10 pF @ 32.5 V10.5 pF @ 10 V14.6 pF @ 16 V17 pF @ 15 V21 pF @ 5 V23.8 pF @ 10 V31 pF @ 10 V32 pF @ 30 V33 pF @ 15 V34 pF @ 15 V36 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)200mW (Ta)225mW (Ta)250mW (Ta)280mW (Ta)300mW (Ta)300mW (Ta), 4,7W (Tc)350mW (Ta)360mW (Ta)360mW (Ta), 2,7W (Tc)360mW (Ta), 830mW (Tc)370mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)
Grade
-Automobile
Qualification
-AEC-Q101
Type de montage
Montage en surfaceTrou traversant
Boîtier fournisseur
3-CPH3-DFN (0,6x1)3-MCPH3-PICOSTAR8-SOPCST4 (1,2x0,8)DFN0603-3 (SOT8013)DFN1006-3ADFN1006B-3DPAK-3M-A1MATRICE
Boîtier
3-SIP3-SMD, broches plates3-UFDFN3-XFDFN4-SMD, sans plomb8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)0201 (0603 métrique)Boîtier long TO-226-3, TO-92-3MATRICEPowerPAK® 0806SC-101, SOT-883SC-70, SOT-323
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
175 624
En stock
1 : 0,32000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,04796 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5ohms à 10mA, 4V
1,4V à 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
63 336
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06007 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
2,8V, 8V
1190mohms à 100mA, 8V
1,35V à 2,5µA
0.281 nC @ 10 V
10V
10.5 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
137 564
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05852 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5ohms à 10mA, 4V
1,4V à 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN53D0LQ-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
218 992
En stock
3 075 000
Usine
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06040 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
500mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
1,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
160 740
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13530 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
1,8V, 4,5V
700mohms à 600mA, 4,5V
900mV à 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75A
SC-75, SOT-416
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
82 379
En stock
1 : 1,28000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,52924 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
GaNFET (nitrure de gallium)
100 V
500mA (Ta)
5V
3,3ohms à 50mA, 5V
2,5V à 20µA
0.044 nC @ 5 V
+6V, -4V
8.4 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
MATRICE
MATRICE
287 576
En stock
1 : 0,20000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03386 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
500mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
1,5V à 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20 147
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03971 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
500mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
1,5V à 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
297 583
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,04631 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
1,2V, 4,5V
400mohms à 500mA, 4,5V
900mV à 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
67 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-523 broches plates
SC-89, SOT-490
5 871
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04259 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
1,5V, 5V
630mohms à 200mA, 5V
1V à 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
BSN20-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
493 454
En stock
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05852 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
500mA (Ta)
4,5V, 10V
1,8ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
0.8 nC @ 10 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
600mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8 438
En stock
1 : 0,32000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05681 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
1,5V, 5V
630mohms à 200mA, 5V
1V à 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
UFM
3-SMD, broches plates
SOT-23-3
MMBF170Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Diodes Incorporated
8 343
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05965 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 250µA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
446 571
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,05941 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
1,5V, 5V
630mohms à 200mA, 5V
1V à 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VESM
SOT-723
SOT-23-3
DMN53D0L-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
65 803
En stock
6 258 000
Usine
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05810 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
500mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
1,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SMT3
RJK005N03T146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Rohm Semiconductor
17 997
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09472 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4,5V
580mohms à 500mA, 4,5V
1,5V à 1mA
4 nC @ 4 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SMT3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
7 280
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07617 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
500mA (Ta)
1,8V, 10V
1,45ohms à 500mA, 10V
1V à 250µA
0.95 nC @ 4.5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF170-7-F
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Diodes Incorporated
238 610
En stock
576 000
Usine
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06040 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 250µA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF170
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
onsemi
29 210
En stock
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06061 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
onsemi
28 920
En stock
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05915 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3-XFDFN
DMN1260UFA-7B
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Diodes Incorporated
13 718
En stock
160 000
Usine
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,05250 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
500mA (Ta)
1,5V, 4,5V
366mohms à 200mA, 4,5V
1V à 250µA
0.96 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
SMT3
RJK005N03FRAT146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Rohm Semiconductor
4 685
En stock
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07787 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4,5V
580mohms à 500mA, 4,5V
1,5V à 1mA
4 nC @ 4 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SMT3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-92-3 Formed Leads
BS170-D26Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
28 175
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,09783 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
TO-92-3 Formed Leads
BS170-D75Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
7 002
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,09783 €
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
SOT-23-3
PJA3435_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2 282
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06917 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
1,2V, 4,5V
1,2ohms à 500mA, 4,5V
1V à 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
38 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 107

500mA (Ta) FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.