PXN2R8-100RLJ Nexperia USA Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

Nouveau produit

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PXN2R8-100RLJ
Numéro de produit DigiKey	1727-PXN2R8-100RLJTR-ND - Bande et bobine 1727-PXN2R8-100RLJCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PXN2R8-100RLJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PXN2R8-100RLJ
Description	PXN2R8-100RL/SOT8038/MLPAK56
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 184A (Ta) 181W (Ta) Montage en surface MLPAK56
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	PXN2R8-100RLJ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	184A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6325 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	181W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	MLPAK56
Boîtier	8-PowerTDFN

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