Name: PSMN1R7-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND
Price: 2.916 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R7-40YLDX
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN1R7-40YLDXCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PSMN1R7-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN1R7-40YLDX
Description	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 200 A (Tc) 194W (Tc) Montage en surface LFPAK56, Power-SO8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,05V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 109 nC @ 10 V
Série TrenchMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7966 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Fonction FET Diode Schottky (substrat)
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 194W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Tc)	Boîtier fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier SC-100, SOT-669
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8mohms à 25A, 10V	Numéro de produit de base PSMN1R7