SC-100, SOT-669 FET, MOSFET simples

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Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
PSMNR82-30YLEX
PSMN2R2-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2 572
En stock
1 : 1,49000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,40308 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100 A (Tc)
4,5V, 10V
2,15mohms à 25A, 10V
1,95V à 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
3310 pF @ 15 V
-
141W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
59 048
En stock
1 : 1,74000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,51072 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
21,5 A (Tc)
10V
102mohms à 12A, 10V
4V à 1mA
30.7 nC @ 10 V
±20V
1568 pF @ 30 V
-
113W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
24 277
En stock
1 : 1,82000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,53982 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
100 A (Tc)
10V
3,5mohms à 25A, 10V
4V à 1mA
49.4 nC @ 10 V
±20V
3583 pF @ 25 V
-
167W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN1R2-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7 696
En stock
1 : 1,97000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,58926 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100 A (Tc)
4,5V, 10V
1,25mohms à 25A, 10V
1,95V à 1mA
78 nC @ 10 V
±20V
5093 pF @ 15 V
-
215W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN012-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5 950
En stock
1 : 1,97000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,59049 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
60 A (Tc)
10V
12mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
64 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 50 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
1 754
En stock
1 : 2,45000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,72538 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
35 A (Ta)
4,5V, 10V
7mohms à 17,5A, 10V
-
14 nC @ 4.5 V
±20V
2010 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK
SC-100, SOT-669
19 896
En stock
1 : 2,47000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,73179 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
25 A (Ta)
4,5V, 10V
14mohms à 12,5A, 10V
-
15 nC @ 4.5 V
±20V
2030 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN013-100YSEX
MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
34 718
En stock
1 : 2,48000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,77311 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
82 A (Tj)
10V
13mohms à 20A, 10V
4V à 1mA
75 nC @ 10 V
±20V
3775 pF @ 50 V
-
238W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
3 472
En stock
1 : 3,21000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,02176 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
45 A (Ta)
4,5V, 10V
3,5mohms à 22,5A, 10V
-
26 nC @ 4.5 V
±20V
4030 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK
SC-100, SOT-669
1 410
En stock
1 : 3,25000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,03615 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
40 A (Ta)
10V
4,9mohms à 20A, 10V
-
25 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN1R0-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3 871
En stock
1 : 3,57000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 1,19080 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
280 A (Tc)
4,5V, 10V
1,1mohms à 25A, 10V
2,2V à 1mA
127 nC @ 10 V
±20V
8845 pF @ 20 V
-
198W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y6R5-40HX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2 396
En stock
1 : 0,79000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,37549 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
70 A (Tc)
4,5V, 10V
6,5mohms à 20A, 10V
2,15V à 1mA
29 nC @ 10 V
±20V
2036 pF @ 25 V
-
64W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y153-100E,115
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7 666
En stock
1 : 0,96000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,25819 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
9,4 A (Tc)
5V
146mohms à 2A, 10V
2,1V à 1mA
6.8 nC @ 5 V
±10V
716 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN011-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10 931
En stock
1 : 0,98000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,21165 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
37 A (Tc)
4,5V, 10V
11,6mohms à 10 A, 10V
1,95V à 1mA
10.3 nC @ 10 V
±20V
641 pF @ 15 V
-
29W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN7R0-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
856
En stock
1 : 1,00000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,26975 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
61 A (Tc)
4,5V, 10V
7,1mohms à 20 A, 10V
1,95V à 1mA
16 nC @ 10 V
±20V
1057 pF @ 15 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN014-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
29 943
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,27209 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
46 A (Tc)
10V
14mohms à 5A, 10V
4V à 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
702 pF @ 20 V
-
56W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y29-40E,115
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
18 946
En stock
1 : 1,04000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,28051 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
25 A (Tc)
5V
25mohms à 5A, 10V
2,1V à 1mA
5 nC @ 5 V
±10V
664 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN030-60YS,115
MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3 465
En stock
1 : 1,04000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,28075 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
29 A (Tc)
10V
24,7mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
13 nC @ 10 V
±20V
686 pF @ 30 V
-
56W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y59-60E,115
MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
40 892
En stock
1 : 1,07000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,29440 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
16,7 A (Tc)
5V
52mohms à 5A, 10V
2,1V à 1mA
6.1 nC @ 5 V
±10V
715 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y43-60E,115
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
22 703
En stock
1 : 1,07000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,29303 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
22 A (Tc)
5V
41mohms à 5A, 10V
2,1V à 1mA
8.2 nC @ 5 V
±10V
880 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN039-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
48 327
En stock
1 : 1,13000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,31161 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
28,1 A (Tc)
10V
39,5mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
1847 pF @ 50 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y12-40E,115
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3 318
En stock
1 : 1,13000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,31225 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
52 A (Tc)
5V
10mohms à 15A, 10V
2,1V à 1mA
9.8 nC @ 5 V
±10V
1423 pF @ 25 V
-
65W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN4R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
42 194
En stock
1 : 1,16000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,32201 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
95 A (Tc)
4,5V, 10V
4mohms à 25A, 10V
2,2V à 1mA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1272 pF @ 15 V
-
64W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y58-75B,115
MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2 903
En stock
1 : 1,17000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,32226 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
75 V
20,73 A (Tc)
5V, 10V
53mohms à 10A, 10V
2,15V à 1mA
10.7 nC @ 5 V
±15V
1137 pF @ 25 V
-
60,4W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN5R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2 460
En stock
1 : 1,19000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,33067 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
91 A (Tc)
4,5V, 10V
5mohms à 15A, 10V
2,15V à 1mA
29 nC @ 10 V
±20V
1760 pF @ 12 V
-
61W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
Affichage de
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SC-100, SOT-669 FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.