PMV50ENEAR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

Canal N 30 V 3,9 A (Ta) 510mW (Ta), 3,9W (Tc) Montage en surface TO-236AB

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PMV50ENEAR
Numéro de produit DigiKey	1727-2533-2-ND - Bande et bobine 1727-2533-1-ND - Bande coupée (CT) 1727-2533-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMV50ENEAR
Description	MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 3,9 A (Ta) 510mW (Ta), 3,9W (Tc) Montage en surface TO-236AB
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 10 V
Fabricant Nexperia USA Inc.	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 276 pF @ 15 V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Dissipation de puissance (max.) 510mW (Ta), 3,9W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur TO-236AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 43mohms à 3,9A, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base PMV50

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Substituts (7)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN3051L-7	Diodes Incorporated	15 624	DMN3051LDICT-ND	0,54000 €	Similaire
DMN3070SSN-7	Diodes Incorporated	3 031	DMN3070SSN-7DICT-ND	0,48000 €	Similaire
FDN337N	onsemi	137 248	FDN337NCT-ND	0,76000 €	Similaire
FDN357N	onsemi	2 126	FDN357NCT-ND	0,71000 €	Similaire
FDN359AN	onsemi	10 668	FDN359ANCT-ND	0,68000 €	Similaire

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