Name: GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND
Price: 9.816 EUR
Availability: InStock

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GANE3R9-150QBAZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND - Bande et bobine 1727-GANE3R9-150QBAZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GANE3R9-150QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GANE3R9-150QBAZ
Description	GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 100 A (Ta) 65W (Ta) Montage en surface 25-VQFN (4x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 12mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +6V, -4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2200 pF @ 75 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 65W (Ta)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Ta)	Boîtier fournisseur 25-VQFN (4x6)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Boîtier 25-PowerVFQFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 30A, 5V