Name: GANE1R8-100QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE1R8-100QBAZTR-ND
Price: 10.836 EUR
Availability: InStock

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GANE1R8-100QBAZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GANE1R8-100QBAZTR-ND - Bande et bobine 1727-GANE1R8-100QBAZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GANE1R8-100QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GANE1R8-100QBAZ
Description	GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 100 A (Tc) 65W (Tc) Montage en surface 25-VQFN (4x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 21mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +6V, -4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 65W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur 25-VQFN (4x6)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Boîtier 25-PowerVFQFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8mohms à 40A, 5V