Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 5.076 EUR
Availability: InStock

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GAN3R2-100CBEAZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Bande et bobine 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN3R2-100CBEAZ
Description	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 60A 394W Montage en surface 8-WLCSP (3,5x2,13)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	GAN3R2-100CBEAZ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 9mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +6V, -4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1000 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 394W
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A	Boîtier fournisseur 8-WLCSP (3,5x2,13)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Boîtier 8-XFBGA, WLCSP
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,2mohms à 25A, 5V	Numéro de produit de base GAN3R2