Name: GANE2R7-100CBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE2R7-100CBAZTR-ND
Price: 5.964 EUR
Availability: InStock

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GANE2R7-100CBAZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GANE2R7-100CBAZTR-ND - Bande et bobine 1727-GANE2R7-100CBAZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GANE2R7-100CBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GANE2R7-100CBAZ
Description	GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 64 A (Tc) 470W (Tc) Montage en surface 22-WLCSP (2,3x4,45)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 12,2mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +5,5V, -4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 470W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 64 A (Tc)	Boîtier fournisseur 22-WLCSP (2,3x4,45)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Boîtier 22-XFBGA, WLCSP
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,7mohms à 30A, 5V