Name: GAN039-650NTBJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN039-650NTBJTR-ND
Price: 15.42 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GAN039-650NTBJ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN039-650NTBJTR-ND - Bande et bobine 1727-GAN039-650NTBJCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GAN039-650NTBJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN039-650NTBJ
Description	GAN CASCODE FETS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 58,5A (Ta) 250W (Ta) Montage en surface CCPAK1212i
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,6V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1980 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 250W (Ta)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58,5A (Ta)	Boîtier fournisseur CCPAK1212i
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 12-BESOP (0,370po, 9,40mm de largeur), plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 39mohms à 32A, 10V