BST82,215 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

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Direct

onsemi

En stock: 462 003

Prix unitaire : 0,25000 €

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Taiwan Semiconductor Corporation

En stock: 2 235

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En stock: 2 669

Prix unitaire : 0,92000 €

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BST82,215
Numéro de produit DigiKey	1727-4937-2-ND - Bande et bobine 1727-4937-1-ND - Bande coupée (CT) 1727-4937-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	BST82,215
Description	MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Montage en surface TO-236AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BST82,215 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 10ohms à 150mA, 5V
Fabricant Nexperia USA Inc.	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1mA
Série TrenchMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 40 pF @ 10 V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Dissipation de puissance (max.) 830mW (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-236AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 190mA (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Numéro de produit de base BST82

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Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSS123LT1G	onsemi	462 003	BSS123LT1GOSCT-ND	0,25000 €	Direct
TQM123KCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	2 235	1801-TQM123KCXRFGCT-ND	0,25000 €	Similaire
ZVN3310FTA	Diodes Incorporated	2 669	ZVN3310FCT-ND	0,92000 €	Similaire

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