Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 12 A 8-PowerVDFN
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Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 12 A 8-PowerVDFN
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eMobility and Micro-grids #1

NV6117-RA

Numéro de produit DigiKey
1913-NV6117-RATR-ND - Bande et bobine
1913-NV6117-RACT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NV6117-RA
Description
MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
26 semaines
Référence client
Description détaillée
Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 12 A 8-PowerVDFN
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NV6117-RA Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Configuration
Demi- pont
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Courant
12 A
Série
Tension
650 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Type de montage
Montage en surface
Statut du composant
Actif
Boîtier
8-PowerVDFN
Type
MOSFET
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 955
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Une fois le stock disponible de ce produit épuisé, le conditionnement et le délai d'approvisionnement standard du fabricant s'appliqueront.
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
15,01000 €5,01 €
103,84200 €38,42 €
253,54880 €88,72 €
1003,22680 €322,68 €
2503,07332 €768,33 €
5002,98078 €1 490,39 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0002,90462 €2 904,62 €
2 0002,84194 €5 683,88 €
3 0002,81056 €8 431,68 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:5,01000 €
Prix unitaire avec TVA:6,01200 €