Name: G2R120MT33J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R120MT33J-ND
Price: 93.76901 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 3300 V 35A Montage en surface TO-263-7

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G2R120MT33J
Numéro de produit DigiKey	1913-G2R120MT33J-ND
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	G2R120MT33J
Description	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Référence client
Description détaillée	Canal N 3300 V 35A Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	G2R120MT33J Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 156mohms à 20A, 20V
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 145 nC @ 20 V
Série G2R™	Vgs (max.) +25V, -10V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3706 pF @ 1000 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Type de montage Montage en surface
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Boîtier fournisseur TO-263-7
Tension drain-source (Vdss) 3300 V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A	Numéro de produit de base G2R120
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Dernière disponibilité

Date de dernière disponibilité : 31/05/2026

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
250	78,14084 €	19 535,21 €

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.