Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 25.92 EUR
Availability: InStock

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G2R1000MT33J-TR
Numéro de produit DigiKey	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - Bande et bobine 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	G2R1000MT33J-TR
Description	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 3300 V 5 A (Tc) 74W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2ohms à 2A, 20V
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 2mA
Série LoRing™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 20 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +20V, -5V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 238 pF @ 1000 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 74W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 3300 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA