G2R1000MT33J Navitas Semiconductor, Inc. | FET, MOSFET simples

G2R1000MT33J est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Navitas Semiconductor, Inc.

En stock: 1 074

Prix unitaire : 21,60000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

G2R1000MT33J
Numéro de produit DigiKey	1913-G2R1000MT33J-ND
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	G2R1000MT33J
Description	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Référence client
Description détaillée	Canal N 3300 V 4 A (Tc) 74W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	G2R1000MT33J Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 2mA
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 20 V
Série G2R™	Vgs (max.) +20V, -5V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 238 pF @ 1000 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 74W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 3300 V	Boîtier fournisseur TO-263-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V	Numéro de produit de base G2R1000
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2ohms à 2A, 20V