
SPP11N80C3XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPP11N80C3XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPP11N80C3XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 11 A (Tc) 156W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPP11N80C3XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 450mohms à 7,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 718 | IRF830APBF-ND | 2,63000 € | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,40000 € | Similaire |
| STP10N60M2 | STMicroelectronics | 400 | 497-13970-5-ND | 1,84000 € | Similaire |
| STP11NM80 | STMicroelectronics | 970 | 497-4369-5-ND | 6,25000 € | Similaire |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 524 | 497-13779-5-ND | 3,68000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,28000 € | 3,28 € |
| 50 | 1,65580 € | 82,79 € |
| 100 | 1,49820 € | 149,82 € |
| 500 | 1,22210 € | 611,05 € |
| 1 000 | 1,13342 € | 1 133,42 € |
| 2 000 | 1,05888 € | 2 117,76 € |
| 5 000 | 1,00076 € | 5 003,80 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,28000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,93600 € |








