Name: ISK057N04LM6ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND
Price: 0.864 EUR
Availability: InStock

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ISK057N04LM6ATSA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISK057N04LM6ATSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISK057N04LM6ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISK057N04LM6ATSA1
Description	MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 2,1W (Ta), 39,1W (Tc) Montage en surface PG-VSON-6-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISK057N04LM6ATSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15A (Ta), 64A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,75mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	870 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 39,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-VSON-6-1
Boîtier	6-PowerVDFN