Name: IRLR2908TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR2908TRPBFTR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: InStock

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IRLR2908TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLR2908TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRLR2908TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLR2908TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLR2908TRPBF
Description	MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 30 A (Tc) 120W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 4.5 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1890 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 120W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IRLR2908
Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 23A, 10V

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