Name: IRLR120NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR120NPBFTR-ND
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

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IRLR120NTRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLR120NPBFTR-ND - Bande et bobine IRLR120NPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLR120NPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLR120NTRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 10 A (Tc) 48W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLR120NTRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 5 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 48W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V	Numéro de produit de base IRLR120
Rds On (max.) à Id, Vgs 185mohms à 6A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN10H170SK3-13	Diodes Incorporated	55 931	DMN10H170SK3-13DICT-ND	0,89000 €	Similaire
FDD1600N10ALZ	onsemi	22 669	FDD1600N10ALZCT-ND	1,40000 €	Similaire
PJD9N10A_L2_00001	Panjit International Inc.	10 348	3757-PJD9N10A_L2_00001CT-ND	0,65000 €	Similaire

En stock: 14 677

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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