IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRLMS5703TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLMS5703PBFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLMS5703TRPBF
Description	MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 2,4 A (Ta) 1,7W (Ta) Montage en surface Micro6™(TSOP-6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 1,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	170 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,7W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	Micro6™(TSOP-6)
Boîtier	SOT-23-6