IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IRFR3710ZTRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFR3710ZTRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRFR3710ZTRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFR3710ZTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFR3710ZTRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 42 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2930 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 140W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFR3710
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 33A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (7)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD35N10S3L26ATMA1	Infineon Technologies	2 204	IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND	2,01000 €	Similaire
IRFR3710ZTRPBF	Infineon Technologies	14 000	IRFR3710ZTRPBFCT-ND	2,08000 €	Équivalent paramétrique
AOD2910	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2910-ND	0,36862 €	Similaire
FDD86102LZ	onsemi	13 886	FDD86102LZFSCT-ND	2,04000 €	Similaire
STD25NF10LT4	STMicroelectronics	7 889	497-3156-1-ND	2,73000 €	Similaire

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