Name: IRFP4229PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4229PBF-ND
Price: 4.344 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFP4229PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFP4229PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFP4229PBF
Description	MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 44 A (Tc) 310W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFP4229PBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	44 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	46mohms à 26A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4560 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	310W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247AC
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IRFP4229

Prix unitaire sans TVA:	3,62000 €
Prix unitaire avec TVA:	4,34400 €

IRFP4229PBF