IRFHM830TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
IRFHM830DTR2PBF
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IRFHM830TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFHM830TRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRFHM830TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFHM830TRPBF
Description
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Tc) Montage en surface 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFHM830TRPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,8mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,35V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2155 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,7W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.