Name: IRFB7730PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB7730PBF-ND
Price: 3.852 EUR
Availability: InStock

IRFB7730PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFB7730PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFB7730PBF
Description	MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFB7730PBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,6mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	407 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13660 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRFB7730

Prix unitaire sans TVA:	3,21000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,85200 €

IRFB7730PBF