Name: IRF8788TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8788TRPBFTR-ND
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

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IRF8788TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF8788TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF8788TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF8788TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF8788TRPBF
Description	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 24 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF8788TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC @ 4.5 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5720 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Ta)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IRF8788
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 24A, 10V