Name: IRF8010PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010PBF-ND
Price: 3.132 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 80 A (Tc) 260W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRF8010PBF
Numéro de produit DigiKey	IRF8010PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF8010PBF
Description	MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 80 A (Tc) 260W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF8010PBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3830 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 260W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF8010
Rds On (max.) à Id, Vgs 15mohms à 45A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 514

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,61000 €	2,61 €
50	1,29320 €	64,66 €
100	1,16510 €	116,51 €
500	0,94060 €	470,30 €
1 000	0,86844 €	868,44 €
2 000	0,80778 €	1 615,56 €
5 000	0,74218 €	3 710,90 €
10 000	0,73336 €	7 333,60 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.