Name: IRF7853TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7853TRPBFTR-ND
Price: 2.388 EUR
Availability: InStock

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IRF7853TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7853TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF7853TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7853TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7853TRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8,3 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,9V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,3 A (Ta)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF7853
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 8,3A, 10V