Name: IRF7480MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7480MTRPBFTR-ND
Price: 4.02 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF7480MTRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7480MTRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF7480MTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7480MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7480MTRPBF
Description	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 217 A (Tc) 96W (Tc) Montage en surface DirectFET™ Isometric ME
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7480MTRPBF Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 150µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 185 nC @ 10 V
Série HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6680 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 96W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur DirectFET™ Isometric ME
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 217 A (Tc)	Boîtier DirectFET™ Isometric ME
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IRF7480
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2mohms à 132A, 10V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 13 802

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®