Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6775MTRPBFTR-ND
Price: 2.652 EUR
Availability: OutOfStock

IRF6775MTRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF6775MTRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF6775MTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF6775MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF6775MTRPBF
Description	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 4,9 A (Ta), 28 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MZ
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF6775MTRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,9 A (Ta), 28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	56mohms à 5,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1411 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DIRECTFET™ MZ
Boîtier	DirectFET™ Isometric MZ
Numéro de produit de base	IRF6775

Quantité	Prix unitaire	Prix total
4 800	0,60970 €	2 926,56 €
9 600	0,58431 €	5 609,38 €

Prix unitaire sans TVA:	2,21000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,65200 €

IRF6775MTRPBF