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IRF200S234

Numéro de produit DigiKey
IRF200S234TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF200S234
Description
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 90 A (Tc) 417W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF200S234 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
162 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6484 pF @ 50 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
417W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
16,9 mohms à 51A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
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