Name: IRF100P219AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF100P219AKMA1-ND
Price: 6.204 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 203A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IRF100P219AKMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF100P219AKMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF100P219AKMA1
Description	MOSFET N-CH 100V TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	47 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 203A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF100P219AKMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 100A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 278µA
Série StrongIRFET™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12020 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 341W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 203A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-247-3

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 1 509

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,17000 €	5,17 €
25	2,99880 €	74,97 €
100	2,48030 €	248,03 €
500	2,06536 €	1 032,68 €
1 000	1,93216 €	1 932,16 €
2 000	1,84854 €	3 697,08 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.