Name: IR2011STRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IR2011SPBFTR-ND
Price: 2.232 EUR
Availability: InStock

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IR2011STRPBF
Numéro de produit DigiKey	IR2011SPBFTR-ND - Bande et bobine IR2011SPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IR2011SPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IR2011STRPBF
Description	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Inverseur 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IR2011STRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille	Tension logique - VIL, VIH 0,7V, 2,2V
Fabricant Infineon Technologies	Courant - Sortie de crête (source, absorption) 1A, 1A
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Type d'entrée Inverseur
Statut du composant Actif	Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) 200 V
Programmable DigiKey Non vérifié	Temps de montée / descente (typ.) 35ns, 20ns
Configuration Haut potentiel, bas potentiel	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de canal Indépendant	Type de montage Montage en surface
Nombre de circuits d'attaque 2	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Type de grille MOSFET (canal N)	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Tension - Alimentation 10V ~ 20V	Numéro de produit de base IR2011

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Documents et supports

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