Name: IQFH36N04NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.412 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IQFH36N04NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQFH36N04NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQFH36N04NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQFH36N04NM6ATMA1
Description	IQFH36N04NM6ATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 66A (Ta), 656A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface PG-TSON-12-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQFH36N04NM6ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	66A (Ta), 656A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,36mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 1,05mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	309 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	18600 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSON-12-1
Boîtier	12-PowerTDFN

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 en stock

Vérifier le délai d'approvisionnement

Demande de notification de stock

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®