Name: IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 2.628 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Description	TRENCH <= 40V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 43A (Ta), 282A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	43A (Ta), 282A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,8mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 279µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3900 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-WHTFN-9-1
Boîtier	9-PowerWDFN