Name: IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND
Price: 3.204 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Description	TRENCH <= 40V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	54A (Ta), 422A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,7V à 432µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6100 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TTFN-9-3
Boîtier	9-PowerTDFN