Name: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

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IQE050N08NM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE050N08NM5CGSCATMA1
Description	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16A (Ta), 99A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 49µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2900 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-WHTFN-9-1
Boîtier	9-PowerWDFN