
IQE050N08NM5CGSCATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IQE050N08NM5CGSCATMA1 |
Description | OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 61 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 80 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 6V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 5mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,8V à 49µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2900 pF @ 40 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,5W (Ta), 100W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-WHTFN-9-1 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,00000 € | 3,00 € |
| 10 | 1,96000 € | 19,60 € |
| 100 | 1,36620 € | 136,62 € |
| 500 | 1,18504 € | 592,52 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 6 000 | 0,96818 € | 5 809,08 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,00000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,60000 € |










