Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 2.628 EUR
Availability: InStock

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IQE004NE1LM7CGATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE004NE1LM7CGATMA1
Description	TRENCH <= 40V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE004NE1LM7CGATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	15 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	58A (Ta), 379A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 7V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,45mohms à 30A, 7V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 432µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (max.)	±7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6240 pF @ 7.5 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TTFN-9-3
Boîtier	9-PowerTDFN