Name: IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.628 EUR
Availability: InStock

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IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 42A (Ta), 447A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	42A (Ta), 447A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,86mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 163µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	95 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14000 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-WHTFN-9-U02
Boîtier	9-PowerWDFN