Name: IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.624 EUR
Availability: OutOfStock

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,29mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1,448mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	17000 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-WHTFN-9-U02
Boîtier	9-PowerWDFN